半導体レ-ザ装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047609
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012950
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】本発明は、サージ耐圧機能を有し、かつ、高周波重畳やパルス変調に対して応答性の良い半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】アノードおよびカソードを有する半導体レーザチップ1と、電界効果型トランジスタ4と互いに並列に接続し、半導体レーザチップ1のアノードを電界効果型トランジスタ4のドレインに接続し、電界効果型トランジスタ4のゲートをドレインに接続し、半導体レーザチップ1のカソードを電界効果型トランジスタ4のソースに接続する。

請求項（抜粋）：

アノードおよびカソードを有する半導体レーザチップと、電界効果型トランジスタとを有し、前記アノードが前記電界効果型トランジスタのドレインに接続され、前記電界効果型トランジスタのゲートがドレインに接続され、前記カソードが前記電界効果型トランジスタのソースに接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭58-165388
特開昭58-162085
特開昭54-140482

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