エネルギー感受性レジスト材およびエネルギー感受性レジスト材を使用するデバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-280394
公開番号（公開出願番号）：特開平11-160861
出願日： 1998年10月02日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体製造のためエネルギー感受性レジスト材を利用するリトグラフの方法を提供するものである。【解決手段】半導体の製造方法およびその方法に用いられるレジスト材が含まれている。レジスト材は置換アミノ含有化合物およびポリマーを含む。置換アミノ含有化合物は、光酸生成体あるいは光酸生成体でもあるレジスト材へのアミン付加体のいずれかである。レジスト材は、ポリマーあるいはポリマーに結合した溶解阻害剤のいずれかにペンダントである酸不安定基を含む。酸不安定基は塩基の水溶液におけるポリマーの溶解度を次第に低下させる。レジスト材のフィルムを基質上に形成し、放射線を線描して照射する。放射線は、レジスト材の非照射部分より照射されたレジスト材を塩基性水溶液においてより可溶化する化学変化をレジスト材に誘導する。レジスト材に誘導されたイメージは従来の技術を用いて現像され、下の基質に転写される。

請求項（抜粋）：

エネルギー感受性レジスト材の層を基質上に形成し、上記エネルギー感受性レジスト材は、ポリマーと次の構造式を持つ置換アミノ含有化合物を含み、【化1】ここでYは、チッソを含む基であって次のいずれかであり、【化2】あるいは【化3】ここでXは、発色団および正に荷電したオニウムカチオンから選択され、R’およびR”は同一または異なり、共に水素(H)、約8またはそれ以下の炭素原子を持つアルキル基、シクロアルキル基、フェニル基、および以下の式を持つアルキルエーテル基であり、(CH2)yORaaここでyは約2または3に等しく、Raaは5またはそれ以下の炭素原子を持つアルキル類またはシクロアルキル類であり、ここでnは0か1のいずれかであり、R"'は8またはそれ以下の炭素原子を持つアルキレン類、8またはそれ以下の炭素原子を持つ置換アルキレン類、フェニレンおよび置換フェニレンから選択され、R""は約8以下で少なくとも3個以上の炭素原子を持つアルキレン類であり、ここで芳香族類の全ての数は1またはそれ以下であり、エネルギー感受性レジスト材の層に、紫外線、x線、および電子線から成るグループから選ばれたパターン化された放射線に照射し、その際パターンの像をレジスト材に導入し、パターンに像を出現させ、下の基質にパターンを転写することから成るデバイス製造法。

IPC (3件)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/004 503 A , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-148742 出願人：日本合成ゴム株式会社
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-073169 出願人：日本合成ゴム株式会社
デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-313795 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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