半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-121783
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318388
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】実使用に耐え得る耐圧性を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、原料ガス及びドーパントガスの供給量を変化させることにより、SiCからなる基板1と同じ導電型の不純物を基板1よりも高い濃度で含む高濃度不純物ドープ層2を形成する工程と、高濃度不純物ドープ層2の上に高濃度不純物ドープ層2と同じ導電型の不純物を含むSiCからなるエピタキシャル成長層3を形成する工程とを含む。この方法により、耐圧性が向上し、電力損失も抑えられた半導体装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の不純物を含む第1の半導体層と、上記第1の半導体層上に設けられ、上記第1の半導体層よりも高い濃度で第1導電型の不純物を含む半導体からなる第1の高濃度不純物ドープ層と、上記第1の高濃度不純物ドープ層の上に設けられ、上記第1の高濃度不純物ドープ層よりも低い濃度で第1導電型の不純物を含む第2の半導体層とを備え、動作時には、キャリアが上記第1の半導体層、上記第1の高濃度不純物ドープ層及び上記第2の半導体層を通過して走行する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/47 , H01L 21/205 , H01L 21/329 , H01L 29/78 652 , H01L 29/872

FI (4件)：

H01L 21/205 , H01L 29/78 652 T , H01L 29/48 D , H01L 29/91 B

Fターム (21件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD18 , 5F045DA60 , 5F045DP03 , 5F045DQ04

引用特許：

出願人引用 (1件)

SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-127471 出願人：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

審査官引用 (1件)

SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-127471 出願人：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

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