SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , , , , ,
代理人 (2件)：長谷川芳樹 (外3名) , 長谷川芳樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-127471
公開番号（公開出願番号）：特開2000-319099
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
要約：

【要約】【課題】電子移動度の異方性が小さく且つSiC基板とSiCエピタキシャル成長層との格子不整合による歪みを緩和できるSiCウエハ、これを備えた半導体デバイス、およびSiCウエハの製造方法の提供。【解決手段】面方位がほぼ(11-20)であり、4H型ポリタイプまたは15R型ポリタイプのSiC基板2と、SiC基板2上に形成されたSiCからなるバッファ層4と、を備える。

請求項（抜粋）：

面方位がほぼ(11-20)であり、4H型ポリタイプまたは15R型ポリタイプのSiC基板と、前記SiC基板上に形成されたSiCからなるバッファ層と、を備えることを特徴とするSiCウエハ。

IPC (9件)：

C30B 29/36 , C30B 25/20 , H01L 21/205 , H01L 21/28 301 , H01L 29/872 , H01L 29/74 , H01L 29/749 , H01L 29/78 , H01L 29/861

FI (10件)：

C30B 29/36 A , C30B 25/20 , H01L 21/205 , H01L 21/28 301 F , H01L 29/48 D , H01L 29/74 Q , H01L 29/74 601 A , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 Q , H01L 29/91 F

Fターム (44件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB07 , 4G077AB10 , 4G077BE08 , 4G077DB04 , 4G077DB07 , 4G077EB01 , 4G077ED05 , 4G077EE04 , 4G077EF03 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104GG07 , 4M104GG09 , 5F005AE09 , 5F040DA05 , 5F040DA22 , 5F040DC02 , 5F040EC10 , 5F040ED03 , 5F040EH02 , 5F040FC11 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AD18 , 5F045AE29 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045BB11 , 5F045CA06 , 5F045CB02 , 5F045CB04 , 5F045DA59 , 5F045EB15 , 5F045EK03 , 5F045GH02 , 5F045HA04

引用特許：

審査官引用 (7件)

高抵抗炭化ケイ素層の形成方法および炭化ケイ素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-115878 出願人：株式会社イオン工学研究所, 松波弘之, 木本恒暢
半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-021159 出願人：株式会社東芝
炭化けい素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-221244 出願人：富士電機株式会社

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