特許
J-GLOBAL ID：200903081161002025

SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法

発明者：
松波 弘之

松波 弘之 について

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木本 恒暢

木本 恒暢 について

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塩見 弘

塩見 弘 について


出願人/特許権者：
松波 弘之

松波 弘之 について

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木本 恒暢

木本 恒暢 について

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株式会社シクスオン

株式会社シクスオン について

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関西電力株式会社

関西電力株式会社 について

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三菱商事株式会社

三菱商事株式会社 について

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住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 (外3名) ,  長谷川 芳樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-127471
公開番号（公開出願番号）：特開2000-319099
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月21日
要約：
【要約】【課題】 電子移動度の異方性が小さく且つSiC基板とSiCエピタキシャル成長層との格子不整合による歪みを緩和できるSiCウエハ、これを備えた半導体デバイス、およびSiCウエハの製造方法の提供。【解決手段】 面方位がほぼ(11-20)であり、4H型ポリタイプまたは15R型ポリタイプのSiC基板2と、SiC基板2上に形成されたSiCからなるバッファ層4と、を備える。
請求項（抜粋）：
面方位がほぼ(11-20)であり、4H型ポリタイプまたは15R型ポリタイプのSiC基板と、前記SiC基板上に形成されたSiCからなるバッファ層と、を備えることを特徴とするSiCウエハ。
IPC (9件)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/749 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861
FI (10件)：
C30B 29/36 A ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/74 Q ,  H01L 29/74 601 A ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 Q ,  H01L 29/91 F
Fターム (44件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB07 ,  4G077AB10 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077EE04 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG07 ,  4M104GG09 ,  5F005AE09 ,  5F040DA05 ,  5F040DA22 ,  5F040DC02 ,  5F040EC10 ,  5F040ED03 ,  5F040EH02 ,  5F040FC11 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD18 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB11 ,  5F045CA06 ,  5F045CB02 ,  5F045CB04 ,  5F045DA59 ,  5F045EB15 ,  5F045EK03 ,  5F045GH02 ,  5F045HA04
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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