特許
J-GLOBAL ID：200903013807011200
半導体装置、その製造方法及び導電性ボールの実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
遠藤 恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-309258
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126852
出願日： 1997年10月23日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 BGAパッケージのはんだボール実装で、リフロー時におけるはんだボールの位置ずれや接合不良の問題を回避する。【解決手段】本発明の半導体装置は、一方の面上に形成した導体パターン4の一部を他方の面側に露出させる複数のビアホール3aを備えた絶縁基板3を有する。接続端子としての導電性ボール7bは、上記ビアホール内に充填される導電性ペースト7aを介して上記導体パターン4に接合される。ここで、導電性ペースト7aは、上記導電性ボール7bの融点よりも高い融点を有している。このため、導電性ボールが導電性ペーストよりも先に溶融し、時間をおいて導電性ペーストが溶融し始める。導電性ペースト内のフラックスの沸騰により発生したガスは、既に溶融した導電性ボールの中を通って、外部に放出され、ボールの位置ずれや接合強度不良が回避される。
請求項（抜粋）：
第一及び第二の面を有し、上記第一の面上に導体パターンを備える絶縁基板であって、上記導体パターンの一部を上記第二の面側に露出させる複数のビアホールを備えたものと、上記絶縁基板に実装され、上記導体パターンと電気的に接続される半導体チップと、上記ビアホール上に実装される接続端子としての導電性ボールと、上記ビアホール内に充填され、上記導体パターンの一部と上記導電性ボールとを接合する導電性ペーストであって、上記導電性ボールの融点よりも高い融点を有するものと、を備えた半導体装置。
引用特許：
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