特許
J-GLOBAL ID:200903061149540495

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大岩 増雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-185367
公開番号(公開出願番号):特開平11-031707
出願日: 1997年07月10日
公開日(公表日): 1999年02月02日
要約:
【要約】【課題】 従来の球状電極型半導体装置は、外部電極と内部電極の機械的な接合強度が弱くなり、外部電極の一部が脱落し、それによって、電気特性不良が発生し、信頼性が大きく低下するという問題があった。【解決手段】 半導体素子2に接続された内部電極4とテープ基板9の反対側に設けられる球状の外部電極8aとの接合を、テープ基板9に設けられた外部電極取り付け溝10を介して、この外部電極取り付け溝10に高融点接合材料12を供給して、装置全体を加熱することにより、先ず外部電極8aを次いで高融点接合材料12を溶融させることにより、行うものである。
請求項(抜粋):
基板の第一の面に配置され、半導体素子に接続された内部電極、上記基板の第二の面に配置され、接合部材を用いて上記内部電極に接合された外部電極を備え、上記外部電極と上記接合部材は、融点が異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 321
FI (4件):
H01L 21/92 602 C ,  H01L 21/60 311 W ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 321
引用特許:
審査官引用 (3件)

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