特許

J-GLOBAL ID：200903013821791812

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 木村 史郎
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 矢野 寿一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295779
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064398
出願日： 2003年08月20日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】IGBTやGTO等のパワーモジュールやその他の半導体装置において、バスバーと筐体とを一体成形した時に複数のバスバーの端部(基板と圧接される部位)の高さがばらついていると、接合ツールにより基板に圧接する時に筐体からの突出基部においてバスバーが大きく塑性変形して破損の原因となる場合がある。あるいは、大きな歪み量で弾性変形した状態となり、圧接強度の低下、圧接箇所の信頼性の低下(圧接が確実に行われない、あるいは熱サイクルによる負荷を受けた場合に圧接箇所が外れてしまう)といった問題が生じる場合がある。【解決手段】半導体装置の筐体11とバスバー13との当接部位に緩衝材14を介装し、バスバーの端部13Cを接合ツール15で基板12に圧接する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

バスバーと筐体とを一体成形し、筐体から延出したバスバーの端部を基板に接合する半導体装置において、 筐体とバスバーとの当接部位に緩衝材を介装したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (1件)：

H01L25/04 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• パワー半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-087080   出願人：株式会社日立製作所