特許
J-GLOBAL ID：200903013890042015
磁気センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大庭 咲夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-281703
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299728
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 単一チップ上に、互いに交差する向きの固定磁化軸を有するピンド層を備えた複数の磁気抵抗効果素子を形成すること。【解決手段】 基板10上には磁気抵抗効果素子として二つの磁気トンネル効果素子11,21となる磁性層が形成され、同磁性層を平面視において挟むようにNiCоからなる磁場印加用磁性層が形成される。そして、磁場印加用磁性層に対し磁場を印加し、同磁場印加用磁性層を矢印Aにより示した方向に磁化した後、同磁場を除去する。この結果、磁気トンネル効果素子11,21となる磁性層には磁場印加用磁性層の残留磁化により矢印Bにより示した方向の磁場が印加され、同磁気トンネル効果素子11,21となる磁性層のピンド層の磁化が同矢印Bにより示した向きにピンされる。
請求項（抜粋）：
ピンド層とフリー層とを含み同ピンド層の磁化の向きと同フリー層の磁化の向きがなす相対角度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサであって、前記磁気抵抗効果素子を単一チップ上に複数個備えるとともに、同複数の磁気抵抗効果素子のうち少なくとも二つの磁気抵抗効果素子のピンド層の磁化の向きが互いに交差するように形成されてなる磁気センサ。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, H01F 10/14
, H01F 41/18
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, H01F 10/14
, H01F 41/18
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5E049AA01
, 5E049AA07
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA16
, 5E049CB01
, 5E049DB12
, 5E049GC01
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (1件)
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