特許
J-GLOBAL ID:200903013913486382

高感度応力検出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 清水 守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-326360
公開番号(公開出願番号):特開平10-170355
出願日: 1996年12月06日
公開日(公表日): 1998年06月26日
要約:
【要約】【課題】 ゲージ率が高く、応力に対して敏感に反応することができる高感度応力検出装置を提供する。【解決手段】 負磁歪のCo72.5Si12.5B15アモルファスワイヤ(直径30μm、長さ20mm、回転水中超急冷法で作製した直径130μmのアモルファスワイヤを線引きした後、4kg/mm2 の張力を与えた状態で、475°C、2分の加熱後、室温へ急冷させたアモルファスワイヤ、磁歪=-3×10-6)1に正弦波交流電源2を接続する。
請求項(抜粋):
磁性体に交流電流を通電した状態で応力に対して前記磁性体のインピーダンスを変化させ、ゲージ率を300以上としたことを特徴とする高感度応力検出装置。
IPC (2件):
G01L 1/12 ,  G01R 33/02
FI (2件):
G01L 1/12 ,  G01R 33/02 D
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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