特許

J-GLOBAL ID：200903013971865318

半導体装置およびその作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  小山 潤 ,  寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-196845
公開番号（公開出願番号）：特開平7-140485
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 アクティブマトリックス型の液晶表示装置の画素電極において、TFTやキャパシタの信頼性を高める。【構成】 その周囲に酸化物層18、19が形成されたゲイト電極を覆って、窒化珪素膜20を成膜する。こうすることで、このTFTの他部において形成されるキャパシタを薄い酸化物層18と窒化珪素膜で構成することができ、信頼性の高い画素構成を実現できる。

請求項（抜粋）：

同一絶縁基板上に薄膜トランジスタとキャパシタとが設けられており、前記キャパシタは、下側電極上の酸化物絶縁膜と窒化珪素膜を利用して構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-085826
  
• 薄膜トランジスタパネルの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-355635   出願人：カシオ計算機株式会社
• 特開平3-232274
  
• 特開平4-102829