特許
J-GLOBAL ID：200903013987905298
ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-249972
公開番号（公開出願番号）：特開2004-088012
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】順電圧と逆電流の増大並びに逆耐圧の低下を招くことなく、逆回復電荷が少なくソフトリカバリー特性を示すダイオードを提供する。【解決手段】本発明のダイオードは、N型半導体層1の表面に、低不純物濃度のP型半導体領域3が部分的に形成され、この領域3の間隙を埋めるようにこの領域3よりも浅くかつ高不純物濃度のP+型半導体領域4が形成されている。低不純物濃度のP型半導体領域3により注入キャリアを少なくし、高不純物濃度のP+半導体領域4によりオーミック接触を確保する。また、P型半導体領域3を深くP+半導体領域4を浅くしたため、耐圧を確保しやすい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の主面と前記第1の主面と対向する第2の主面を有する第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の第1の主面に接し、前記第1の半導体層よりも高い不純物濃度を有する第1導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層内にあって前記第2の主面に接する第2導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体層内にあって前記第2の主面に接しかつ前記第1の半導体領域の間隙を埋めるように形成された第2導電型の第2の半導体領域と、前記第2の半導体層に接する第1の電極層と、前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域の双方に接する第2の電極層とを備えたダイオードであって、第1の半導体領域の深さは前記第2半導体領域の深さよりも深くかつ前記第2の半導体領域よりも低い不純物濃度を有することを特徴とするダイオード。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/91 C
, H01L29/91 J
, H01L29/91 A
