特許

J-GLOBAL ID：200903014005611233

多層配線の形成方法

発明者： 坂村 正二
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-124311
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333928
出願日： 1993年05月26日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 多層配線の形成において、パターンの疎密に起因する配線層の形状や寸法のばらつきを小さくし、かつパターンの疎密によって失われた平坦性を回復すること。【構成】 半導体基板(11)上にポリシリコン配線をパターニングする際に、実際の配線として使用するポリシリコン配線層(12)に加えて、ダミーのポリシリコン配線層(121)を同時にパターニングする。同様に、上層配線層においても、第1のAl配線層(14)とダミーの第1のAl配線層(141)とを同時に形成し、第2のAl配線層(16)とダミーの第2のAl配線層(161)とを同時に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の多層配線の形成方法において、n層目の配線層をパターニングするに際して、該配線層のパターン密度がある一定値以上となるように、半導体素子間を接続しないダミーの配線層を同時にパターニングすることを特徴とした多層配線の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体集積回路パターン,およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-194094   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭63-096921
  
• 特開平2-189922
  
• 特開昭63-096921
  
• 特開平2-189922