特許
J-GLOBAL ID：200903014009051534
窒化物半導体結晶の加工方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-079063
公開番号（公開出願番号）：特開2007-030155
出願日： 2006年03月22日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】窒化物半導体結晶を簡便かつ効率的に低コストで加工し得る技術を提供する。【解決手段】窒化物半導体結晶の加工方法において、窒化物半導体結晶(1)を加工する際に、その結晶(1)とツール電極(3)との間に電圧を印加して放電を発生させ、その放電による局所的熱によって結晶を部分的に除去して加工することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体結晶を加工する際に、前記結晶とツール電極との間に電圧を印加して放電を発生させ、その放電による局所的熱によって前記結晶を部分的に除去して加工することを特徴とする窒化物半導体結晶の加工方法。
IPC (3件)：
B23H 9/00
, B24B 47/22
, H01L 21/304
B23H9/00 Z
, B24B47/22
, H01L21/304 611Z
3C034AA13
, 3C034AA17
, 3C034CA27
, 3C034CB08
, 3C034DD10
, 3C059AA01
, 3C059AB05
, 3C059DA06
, 3C059HA01
