特許
J-GLOBAL ID：200903014013353928

半導体集積回路

発明者：
八田 信治

八田 信治 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-154861
公開番号（公開出願番号）：特開平11-003586
出願日： 1997年06月12日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路の内部降圧回路において集積回路の待機時の消費電流を低減する。【解決手段】 集積回路を待機状態かつ非パワーダウンモードにする場合は、「L」レベルの制御信号ACTを与え、内部降圧回路Aを非活性にし、内部降圧回路B1〜B3から降圧電圧VINTを初段回路2へ供給する。また、集積回路をパワーダウンモードにする場合は「L」レベルのACT,パワーダウン信号PWDNBを与え、内部降圧回路A,B1を非活性にし、内部降圧回路B2,B3からVINTを供給する。また、集積回路をセルフリフレッシュモードにする場合は「L」レベルのACT,PWDNB,セルフリフレッシュ信号SRSBを与え、内部降圧回路A,B1,B2を非活性にし内部降圧回路B3からVINTを供給する。
請求項（抜粋）：
外部電源を降圧して内部動作電圧として初段回路を含む内部の各部に供給する半導体集積回路において、半導体集積回路の動作状態時に外部電源を降圧して前記内部動作電圧を出力すると共に、少なくとも半導体集積回路のスタンバイ状態時には該内部動作電圧の出力を停止する内部降圧回路と、半導体集積回路の動作状態時に外部電源を降圧して前記内部動作電圧を各個に出力し、かつ半導体集積回路のスタンバイ状態時の各モードに応じて該内部動作電圧の出力を各個に停止する複数の内部降圧部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件)：
G11C 11/407 ,  G11C 11/413 ,  G11C 11/403
FI (3件)：
G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 335 A ,  G11C 11/34 363 M
引用特許：
審査官引用 (6件)
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