特許

J-GLOBAL ID：200903098941725258

半導体装置および電源電圧発生回路

発明者： 大石 司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130902
公開番号（公開出願番号）：特開平8-190437
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】 安定に内部電源電圧を生成することのできる高周波応答特性に優れた内部電源電圧発生回路を提供する。【構成】 比較回路3は、基準電圧発生回路4から基準電圧Vrefと内部電源線5上の内部電源電圧VCIを比較し、その比較結果に従った信号を出力する。ドライブトランジスタ2はこの比較回路3の出力信号に従って外部電源ノード1から内部電源線5へ電流を供給する。外部電源ノード1と比較回路3の出力ノード6の間に接続された抵抗素子Z1およびこのノード6と接地ノードVSSの間に接続された抵抗素子Z2は、比較回路3の出力信号の振幅を抑制する。これによりドライブトランジスタ2のオーバードライブを抑制することができるとともに、振幅制限機能により高速で急激な内部電源電圧の変化に対応して外部電源ノード1から内部電源線へ電流を供給することができる。

請求項（抜粋）：

第1のノード上の電圧と所定の基準電圧とを比較する比較手段と、所定のレベルの電圧が印加される第2のノードと前記第1のノードとの間に接続され、前記比較手段の出力信号に従って前記第2のノードから前記第1のノードへ電流を供給するためのドライブ素子と、前記比較手段の出力信号の振幅の変化を抑制するための振幅抑制手段を備える、半導体装置。

IPC (4件)：

G05F 1/56 310 ,  G05F 3/24 ,  G11C 11/407 ,  H03F 3/45

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 354 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-051710   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 特開昭61-195415
  
• 特開平3-063805
  
• 特開平4-024813