特許
J-GLOBAL ID：200903014017313297
半田バンプ接続素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-354589
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189607
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 小型化が容易で、簡単な工程で製造することができる半田バンプ接続素子を提供する。【解決手段】 素子が形成された素子形成基板1に上記素子と接続する接続部4を設け、素子形成基板1の上にスルーホール5が形成された絶縁基板2をスルーホール5を接続部4に位置合わせして接合する。絶縁基板2の上側から下地電極膜8の材料を付着させて導電膜8aを形成し、その後、絶縁基板2の上面の導電膜8aを全て除去し接続部の上面に選択的に下地電極膜8を形成する。下地電極膜8の上に半田バンプ3が接合しスルーホール5に半田バンプ3を収容して半田バンプ接続素子が完成する。半田バンプ3を絶縁基板2の上面に設けないので、絶縁基板2の小型化が容易であり、半田バンプ接続素子の小型化が図れる。レジストパターンを用いないで下地電極膜8が形成できるので、簡単に下地電極膜8を形成することができる。
請求項（抜粋）：
素子が形成される素子形成基板には上記素子に接続する接続部が形成され、上記素子形成基板の上には絶縁基板が接合され、上記接続部に対応する絶縁基板の上面には開口部が形成され該開口部から上記接続部に達するスルーホールが上記絶縁基板に形成されており、上記接続部の上に下地電極膜が形成され、該下地電極膜の上に半田バンプが形成され、上記半田バンプは上記絶縁基板の上側に突き出してスルーホールに収容されている構成としたことを特徴とする半田バンプ接続素子。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
H01L 21/92 604 S
, H01L 21/60 311 S
