特許
J-GLOBAL ID：200903066716406721
IC半導体装置のバンプ構造及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-188930
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013382
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 クズレ、ダレ等を生じることなく、回路基板に高いボンディング信頼性で実装できる、所望の高さのバンプを有するIC半導体装置のバンプ構造及びその形成方法を提供する。【構成】 バンプ用電極13上に形成されたバンプ24は、頂部25のみを露出してその他の残部23は、レジスト層26によりその周囲が包囲されている。IC半導体装置にバンプを形成する方法は、配線層のバンプ部用電極部分にバリアメタルを形成し、バンプ部用電極以外の部分にレジストを所定厚さ形成し、バンプ部用電極以外の部分にレジストを残したまま、バリアメタル上にバンプを形成する。本発明に係るバンプ構造では、クズレ、ダレ、及び半田の流れ等の形態変形が、バンプに発生するのを抑制されている。よって、本発明に係るバンプ構造は、回路基板上にIC半導体装置をフリップチップ実装に最適である。
請求項（抜粋）：
IC半導体装置の所要部分に回路基板に実装するためのバンプ部用電極を有し、該バンプ部用電極にバンプを形成したIC半導体装置のバンプ構造において、少なくともバンプ部用電極周辺には前記バンプを囲んで所要高さバンプを突出させるようにレジスト部が形成されていることを特徴とするIC半導体装置のバンプ構造。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
