ペロブスカイト型ナノ粒子及びその製造方法並びに膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-036681
公開番号（公開出願番号）：特開2005-225724
出願日： 2004年02月13日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【課題】より低温にて結晶化が可能であり、50nm以下という小さな粒径であっても高い結晶性を有し、さらに分散性に優れたペロブスカイト型ナノ粒子及びその製造方法並びに膜を提供する。【解決手段】本発明のペロブスカイト型ナノ粒子は、AxByOz(ただし、AはIA族元素、IB族元素、IIA族元素、IIB属元素の群から選択される1種または2種の元素、Bは遷移金属元素から選択される1種以上の元素)からなるペロブスカイト構造を有し、一次粒子径が10nm以上かつ50nm以下であることを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

AxByOz(ただし、AはIA族元素、IB族元素、IIA族元素、IIB属元素の群から選択される1種または2種の元素、Bは遷移金属元素から選択される1種以上の元素)からなるペロブスカイト構造を有し、一次粒子径が10nm以上かつ50nm以下であることを特徴とするペロブスカイト型ナノ粒子。

IPC (3件)：

C01B13/32 , C01B13/18 , C01G33/00

FI (3件)：

C01B13/32 , C01B13/18 , C01G33/00 A

Fターム (15件)：

4G042DA02 , 4G042DB11 , 4G042DB12 , 4G042DB24 , 4G042DE05 , 4G042DE09 , 4G042DE12 , 4G042DE14 , 4G048AA04 , 4G048AB02 , 4G048AC08 , 4G048AD04 , 4G048AD08 , 4G048AE05 , 4G048AE08

引用特許：

出願人引用 (1件)

強誘電体メモリ素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-129469 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (8件)

ジルコニウム含有ペロブスカイト化合物微粉体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-225010 出願人：テイカ株式会社
ペロブスカイト化合物の結晶性セラミック粉体の合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-232427 出願人：全インタナショナル株式会社
高結晶性チタン酸バリウム超微粒子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-063397 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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