特許
J-GLOBAL ID：200903014039469274
一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-164659
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363604
出願日： 2004年06月02日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】 一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板40に形成されたトランジスタと、前記トランジスタのドレーン44に連結されているデータ貯蔵部Sとを備え、前記データ貯蔵部Sの所定の電圧範囲で現れる抵抗特性が別の電圧範囲で現れる抵抗特性と全く異なるデータ貯蔵物質層54を含むことを特徴とする1T-1Rまたは1D-1Rで構成された不揮発性メモリ装置である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板に形成されたトランジスタと、
前記トランジスタのドレーンに連結されているデータ貯蔵部と、を備え、
前記データ貯蔵部は、異なる電圧で異なる抵抗特性を有するデータ貯蔵物質層を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 451
, G11C13/00 A
5F083FZ10
, 5F083MA06
, 5F083MA15
, 5F083NA08
