特許
J-GLOBAL ID：200903091199969120
情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-600308
公開番号（公開出願番号）：特表2002-537627
出願日： 2000年01月17日
公開日（公表日）： 2002年11月05日
要約：
【要約】【課題】【解決手段】 本発明の基礎を成す発見は、複数の酸化物、つまりマイクロ電子回路及び電子回路、特に抵抗のスイッチング現象とビルトイン・メモリを組み合わせた半導体チップに用いられる物質に関する。複数の物質のうち好適な物質は、ドーパント0%乃至5%、好適には0%乃至1%、より好適には約0.2%のBa<SB>x</SB>Sr<SB>1-x</SB>TiO<SB>3</SB>(0<=x<=7)である。前記物質は、例えばコンデンサ状構造の誘電層として用いられるとき、印加された電圧パルスに応じて高導電状態か低導電状態のいずれかの切り替え状態にとどまる。従って、異なる抵抗値、つまり高抵抗状態を論理"0"に、低抵抗状態を論理"1"に関連付けることにより、デジタル情報を保存することができる。保存された情報は、漏れ電流を測定することによって読取ることができる。マルチレベル・スイッチングも実現可能である。
請求項（抜粋）：
電極間に切り替え可能なオーミック抵抗を有する領域を持つマイクロ電子デバイスであって、該領域の該オーミック抵抗は、異なる電圧パルスを印加して異なる状態に導くことによって該異なる状態間を反転可能に切り替えられ、該領域は化合物Ax、By及び酸素Ozを含む物質から形成され、該物質の該化合物Aは、アルカリ金属(IA族)、アルカリ土類金属(IIA族)、希土類元素、スカンジウム、またはイットリウムであり、該化合物BはIB族乃至VIII族のいずれか、またはIIIA族、IVA族、VA族のいずれかの遷移金属であり、該物質は異なる遷移金属のうちの1つまたはその組み合わせのドーパントを含み、ドーパント総量は0%を超え5%未満である、マイクロ電子デバイス。
IPC (4件)：
G11C 11/21
, G11C 13/00
, H01G 4/12 415
, H01G 4/33
G11C 11/21
, G11C 13/00 A
, H01G 4/12 415
, H01G 4/06 102
5E001AB06
, 5E001AE01
, 5E001AE02
, 5E082AB03
, 5E082BB10
, 5E082BC40
, 5E082FG03
, 5E082FG26
, 5E082PP03
