特許
J-GLOBAL ID:200903014041273662
光導波路素子及び光導波路素子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中島 淳 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-194523
公開番号(公開出願番号):特開2000-329959
出願日: 1999年07月08日
公開日(公表日): 2000年11月30日
要約:
【要約】【課題】 組成が均一であり、表面が光学的に平滑であり、かつ、単結晶状のエピタキシャルPLZT強誘電体薄膜を備えた光導波路素子を提供する。【解決手段】 光導波路素子の単結晶基板12上に、少なくとも、0<x<0.30、0<y<0.20の範囲の単結晶状またはエピタキシャルのPb<SB>1-x </SB>La<SB></SB><SB>x</SB>(Zr<SB>y</SB>Ti<SB>1-y</SB>)<SB>1-x/4</SB>O<SB>3</SB>からなる第1強誘電体層14と、該第1強誘電体層14上に設けられた0<x<0.20、0.20<y<1.0の範囲の単結晶状またはエピタキシャルのPb<SB>1-x </SB>La<SB>x</SB>(Zr<SB>y</SB>Ti<SB>1-y</SB>)<SB>1-x/4</SB>O<SB>3</SB>からなる第2強誘電体層16と、を設ける。
請求項(抜粋):
単結晶基板と、単結晶基板上に設けられた0<x<0.30、0<y<0.20の範囲の単結晶状またはエピタキシャルのPb<SB>1-x </SB>La<SB>x</SB>(Zr<SB>y</SB>Ti<SB>1-y</SB>)<SB>1-x/4</SB>O<SB>3</SB>からなる第1強誘電体層と、該第1強誘電体層上に設けられた0<x<0.20、0.20<y<1.0の範囲の単結晶状またはエピタキシャルのPb<SB>1-x </SB>La<SB>x</SB>(Zr<SB>y</SB>Ti<SB>1-y</SB>)<SB>1-x/4</SB>O<SB></SB><SB>3</SB>からなる第2強誘電体層と、を有する光導波路素子。
IPC (3件):
G02B 6/13
, G02B 6/12
, G02F 1/055 501
FI (3件):
G02B 6/12 M
, G02F 1/055 501
, G02B 6/12 N
Fターム (12件):
2H047PA02
, 2H047PA06
, 2H047QA01
, 2H047QA07
, 2H047TA00
, 2H079AA02
, 2H079AA08
, 2H079AA12
, 2H079AA14
, 2H079DA03
, 2H079DA22
, 2H079HA11
引用特許:
出願人引用 (2件)
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特開昭62-012696
-
強誘電体膜形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-031853
出願人:シャープ株式会社
審査官引用 (5件)
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引用文献:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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ゾル・ゲル法によるPLZT系薄膜の固相エピタキシャル成長とその評価
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LEE J S, KIM C J, YOON D S, CHOI C G, NO K, KIM J M
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LEE J S, KIM C J, YOON D S, CHOI C G, NO K, KIM J M
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