特許

J-GLOBAL ID：200903014053638135

絶縁膜の形成方法

発明者： 西尾 英俊
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-204682
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070042
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜の形成方法に関し、簡単な低温成膜プロセスによって幅広の段差部を含めて全体を平坦化し、且つ、膜質の良好な絶縁膜を得る。【構成】 半導体基板1上に下地絶縁層2を介して配線層3を形成し、次いで、この半導体基板1全面に、シラザン結合を有する有機シリコンと酸化剤との混合ガスをプラズマ反応させるプラズマCVD法により絶縁膜4を堆積させて表面を平坦化する。

請求項（抜粋）：

プラズマ化学気相堆積法を使用して、シラザン結合を有する有機シリコンと、酸化剤との混合ガスをプラズマ反応させて絶縁膜を堆積させることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-068842   出願人：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-144751   出願人：シャープ株式会社