特許

J-GLOBAL ID：200903014054156703

半導体膜の製造方法及び製造装置

発明者： 藤安 洋 ,  榊原 慎吾
出願人/特許権者： 藤安 洋 ,  ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-090305
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264463
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 不純物ソースとして気体ソースを用いて、格別の高温加熱を要せず良質の半導体膜形成を可能としたHWE法による半導体膜の製造方法及び製造装置を提供する。【構成】 減圧されるチャンバ11内の下部に固体ソース14を収容するソース容器13を配置し、上方に基板ホルダ17により保持された成膜用基板18を配置する。ソース容器13の上端に連続する形で固体ソース14からの蒸発ガスを成膜用基板18に案内するガス案内管15を設ける。ソース容器13及びガス案内管15の周囲にはそれぞれ加熱ヒータ20a,20bを配設する。チャンバ11の外部からガス案内管15の底部に気体ソースを導入する気体ソース導入管21を配設して、気体ソースをガス案内管15で熱分解して成膜される半導体膜に不純物として添加するようにした。

請求項（抜粋）：

減圧されるチャンバ内に半導体膜の母相となる固体ソースとこれに対向させた成膜用基板とが配置され、固体ソースと成膜用基板の間に固体ソースからの蒸発気体を成膜用基板に案内するガス案内手段が設けられ、且つ前記固体ソースとガス案内手段の周囲に加熱手段が設けられた半導体膜製造装置を用いる半導体膜の製造方法において、半導体膜中に添加する添加物ソースを気体の状態で前記チャンバの外部から前記固体ソースの上部に導入することを特徴とする半導体膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/31 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-001038
  
• 特開昭60-255693
  
• 真空蒸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-266518   出願人：藤安洋, フジ精機株式会社, ヤマハ株式会社