半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-130714
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321960
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体発光素子の電流注入の非効率性及び量子効率の低下を解消できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】セパレートコンファインメントヘテロ構造層(SCH層)11,12中に半導体薄層11a,12aを挿入し、半導体薄層12aは価電子帯不連続が正孔に対し障壁とならない、伝導帯不連続が電子に対し障壁となる正の値を有し、半導体薄層11aは伝導帯不連続が電子に対し障壁とならない、価電子帯不連続が正孔に対し障壁となる正の値を有するようなバンド構造が形成され、また、p形クラッド層側のSCH層12とクラッド層14間の価電子帯不連続も正孔に対し障壁とならない、クラッド層14で構成され、また、n形クラッド層側のSCH層11とクラッド層13間の伝導帯不連続も電子に対し障壁とならない、クラッド層13で構成される。

請求項（抜粋）：

単一組成、階段状組成、疑似傾斜組成又は傾斜組成のセパレートコンファインメントヘテロ構造層に挟まれた単一又は多重量子井戸構造を含む発光層とその両側にクラッド層を有する半導体発光素子において、p形クラッド層側の上記構造層中に、当該構造層に対する価電子帯不連続が正孔に対し障壁とならない、ほとんど零であり、伝導帯不連続が前記発光層からの電子に対し障壁となる正の値を有する半導体薄膜を挿入し、且つ、p形クラッド層側の上記構造層と上記クラッド層間の価電子帯不連続が正孔に対し障壁とならない、ほとんど零であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-130525 出願人：日本電信電話株式会社
特開平4-218994
特開昭58-222577

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