半導体デバイス用フューズおよび半導体デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337582
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163331
出願日： 1996年12月03日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】レーザを照射して切断したときに下層にダメージを与えない半導体デバイス用フューズを提供する。【解決手段】半導体基板の表面に導電性薄膜を形成し、パターニングしてフューズ2を形成する際、幅狭部3に膨出部分5を設けて切断部4を構成し、その切断部4にレーザビームを照射して切断するようにする。レーザビームの強度バラツキや照射位置バラツキがあっても下層にダメージは生じず、フューズ2直下の位置にも電気素子を形成できるようになる。切断部4は円形にするとよい。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた導電性薄膜をパターニングして形成された幅狭部と切断部とを有し、前記切断部は、半導体基板に形成された電気素子に、前記幅狭部を介して接続された半導体デバイス用フューズにおいて、前記切断部は、前記レーザビームが前記幅狭部に照射された場合には、そのレーザビームのうち、前記幅狭部では遮蔽できない部分も遮蔽できる形状に成形され、前記レーザビームが照射されると電気的接続が開放されるように構成されたことを特徴とする半導体デバイス用フューズ。

IPC (2件)：

H01L 21/82 , H01L 21/268

FI (2件)：

H01L 21/82 F , H01L 21/268 E

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-089434
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-225186 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-122150

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