特許
J-GLOBAL ID:200903014074104939

レーザ回折・散乱式粒度分布測定装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河▲崎▼ 眞樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-316030
公開番号(公開出願番号):特開2001-133384
出願日: 1999年11月05日
公開日(公表日): 2001年05月18日
要約:
【要約】【課題】 測定光学系の構成をより簡素化しても、従来のこの種の装置と同様にサブミクロンオーダーの粒子の測定が可能で、同等の性能を有しながら装置コストを低減させることができ、また、試料セルを設けない開放系の測定系としてもサブミクロンオーダーの粒子の測定が可能な粒度分布測定装置を提供する。【解決手段】 被測定粒子群Pに照射する照射光学系の光源として、出力光の波長が300〜500nmの範囲の半導体レーザ1を用いるとともに、測定光学系を前方所定角度範囲に置かれた光センサ群7のみによって構成する。回折・散乱光の空間強度分布の測定範囲が狭くても、照射レーザ光の波長を短くすることによってサブミクロンオーダーの粒子の測定を可能とし、また、前方散乱光センサとして、集光レンズ6およびリングディテクタ7を採用することで、照射光学系と測定光学系を分離して、試料セルの有さない開放系の測定によってもサブミクロンオーダーの粒子の測定が可能となる。
請求項(抜粋):
分散状態の粒子群にレーザ光を照射する照射光学系と、その照射光学系からのレーザ光の粒子群による回折・散乱光を受光して、その空間強度分布を測定するための測定光学系と、その測定光学系による測定結果から粒子群の粒度分布を算出する演算部を備えたレーザ回折・散乱式粒度分布測定装置において、上記照射光学系の光源が、出力光波長300〜500nmの範囲内の半導体レーザであるとともに、上記測定光学系が、レーザ光の照射方向前方所定角度の範囲内に配置された光センサ群によって構成されていることを特徴とするレーザ回折・散乱式粒度分布測定装置。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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