特許
J-GLOBAL ID：200903014087964732

固体撮像素子及び該素子を用いた撮像装置

発明者：
徳田 崇

徳田 崇 について

, 
太田 淳

太田 淳 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学

国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 について


代理人 (1件)： 小林 良平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-021610
公開番号（公開出願番号）：特開2007-207789
出願日： 2006年01月31日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：
【課題】オンチップ蛍光イメージングに際し、励起光の影響を軽減して高いS/N比及びDレンジで以て蛍光を検出する。【解決手段】フォトダイオード11等を形成した半導体基体10表層の上に積層する多層の金属配線層131〜134に設ける開口部を該配線層の厚さや絶縁層間膜14の厚さを考慮したずらし量ずつ水平方向にずらすことにより、開口方向が垂直線から所定角度θ0だけ傾斜した窓開口16を各フォトダイオード11毎に設ける。垂直入射光L1は金属配線層13により遮断されてフォトダイオード11に到達せず、開口方向に沿って逆向きに入射してくる斜め入射光L2は窓開口16を通してフォトダイオード11に到達する。保護膜15上に試料を載置し該試料に励起光を垂直入射すると、試料を透過した励起光は遮断され、試料中で広い角度範囲に放出される蛍光の一部は窓開口16を経てフォトダイオード11に達して検出される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基体の表層に設けられた光電変換部と、前記半導体基体の表層を被覆するように設けられた複数層の遮光層と、を有し、前記複数の遮光層にそれぞれ形成した開口部により、最も上層の遮光層の外側から入射した光が前記光電変換部に到達し得るような窓開口を形成して成り、 前記複数の遮光層の開口部を層毎に該層の延展方向にずらすことによって前記窓開口の開口方向を光電変換部に垂直な方向から所定角度傾斜させたことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (3件)：
H01L 27/14 ,  H04N 5/335 ,  H01L 27/146
FI (3件)：
H01L27/14 D ,  H04N5/335 U ,  H01L27/14 A
Fターム (26件)：
2G043AA03 ,  2G043BA16 ,  2G043EA01 ,  2G043FA01 ,  2G043GA08 ,  2G043GB01 ,  2G043GB03 ,  2G043HA05 ,  2G043LA03 ,  2G043MA16 ,  4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA09 ,  4M118CA32 ,  4M118CB11 ,  4M118FA06 ,  4M118GB12 ,  4M118GB15 ,  5C024CX03 ,  5C024CY47 ,  5C024CY49 ,  5C024GX07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
  • 撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-371744   出願人：浜松ホトニクス株式会社
  • バイオチップ読み取り装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-045368   出願人：三井造船株式会社
  • 増幅型固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-046251   出願人：松下電器産業株式会社

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