特許
J-GLOBAL ID：200903014092700972
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-024907
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224945
出願日： 1998年02月05日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：
【要約】【課題】 高い耐圧と高い動作速度とを兼備する半導体装置を提供する。【解決手段】 同導電型のソース領域13およびドレイン領域14が形成された半導体基板の表面に、一部(図中16に相当する部分)が他の部分よりも厚膜に形成された酸化膜16、17を介してゲート電極18が形成されており、ソース領域とドレイン領域との間のドレイン領域に接する領域に、ドレイン領域よりも不純物濃度の低い前記導電型の拡散層15a、15bが形成されており、酸化膜の拡散層とゲート電極との間に介在する部分が厚膜の部分を含み、拡散層が、不純物濃度の異なる2以上の領域を有する半導体装置とした。
請求項（抜粋）：
同導電型のソース領域とドレイン領域とが形成された半導体基板の表面に、一部が他の部分よりも厚膜に形成された酸化膜を介してゲート電極が形成されており、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記ドレイン領域に接する領域に、前記ドレイン領域よりも不純物濃度の低い前記導電型の拡散層が形成されており、前記酸化膜の前記拡散層と前記ゲート電極との間に介在する部分が厚膜の部分を含み、前記拡散層が不純物濃度の異なる2以上の領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 W
, H01L 27/08 321 E
, H01L 29/78 301 L
