薄膜光電変換素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-196532
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016271
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】開放電圧、形状因子、飽和電流密度等の特性の改善された変換効率の高い薄膜光電変換素子を提供する。【解決手段】微結晶シリコン又は、微結晶シリコンゲルマニウムからなるi層と接するp層、n層の少なくとも一方を、微結晶シリコンカーバイトと微結晶シリコンとの混晶とする。

請求項（抜粋）：

p型導電性のp層、実質的に真性なi層、n型導電性のn層を積層してなる少なくとも一つのpin接合を含む光電変換層と、その光電変換層の光入射側に備えられた導電性で、且つ光透過性の第一電極と、その第一電極と対向する面に備えられた第二電極とを有する薄膜光電変換素子において、pin接合を構成するi層が、微結晶シリコン又は、微結晶シリコンゲルマニウムからなり、これと接するp層、n層の少なくとも一方が、微結晶シリコンカーバイトと微結晶シリコンとの混晶であることを特徴とする薄膜光電変換素子。

Fターム (7件)：

5F051AA04 , 5F051AA16 , 5F051BA11 , 5F051BA17 , 5F051CA05 , 5F051DA04 , 5F051DA11

引用特許：

審査官引用 (8件)

積層型光起電力素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-044731 出願人：キヤノン株式会社
特開昭58-053868
特開昭60-037788

全件表示

引用文献：

審査官引用 (1件)

Shah et al."Intrinsic Microcrystalline Silicon(μc-Si:H) - A Promising New Thin Film Solar Cell Mat

前のページに戻る