特許
J-GLOBAL ID：200903090667263233
光起電力素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-325715
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150935
出願日： 1998年11月16日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 光電変換特性の向上を図れる光起電力素子を提供する。【解決手段】 光入射側のドープ層であるp層3と光電活性層であるi層5との間に、光学的バンドギャップが1.75eV以上、水素濃度が30%以上、ワイドギャップ化添加元素の濃度が1%未満である非晶質シリコン(a-Si)膜からなるバッファ層4を設ける。
請求項（抜粋）：
光入射側のドープ層と光電活性層との間にバッファ層を備える光起電力素子において、前記バッファ層は、光学的バンドギャップが1.75eV以上、水素濃度が30%以上、ワイドギャップ化添加元素の濃度が1%未満である非晶質シリコン膜であることを特徴とする光起電力素子。
Fターム (6件)：
5F051AA05
, 5F051AA16
, 5F051CA15
, 5F051DA04
, 5F051DA11
, 5F051DA20
