特許
J-GLOBAL ID：200903014126481396
堆積膜製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185044
公開番号（公開出願番号）：特開平11-029863
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】 長時間の成膜後でも膜厚、膜質が異なることがないスパッタ方法を提供する。【解決手段】 基板を成膜室にセットし、スパッタガスを導入しかつ反応性ガスを導入しない状態で成膜室内に放電を生起し、該放電のプラズマの発光強度が所定値になるように、該プラズマの発光強度をモニターする装置の感度を調整し、堆積速度が一定となるように反応性ガスの導入量を制御しながらターゲットをスパッタすることを特徴とする堆積膜製造方法とする。
請求項（抜粋）：
基板を成膜室にセットし、スパッタガスを導入しかつ反応性ガスを導入しない状態で成膜室内に放電を生起し、該放電のプラズマの発光強度が所定値になるように、該プラズマの発光強度をモニターする装置の感度を調整し、堆積速度が一定となるように反応性ガスの導入量を制御しながらターゲットをスパッタすることを特徴とする堆積膜製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 M
, C23C 14/54 C
