特許
J-GLOBAL ID:200903014159884399
表示装置とその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小野 由己男
, 稲積 朋子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-310013
公開番号(公開出願番号):特開2007-140527
出願日: 2006年11月16日
公開日(公表日): 2007年06月07日
要約:
【課題】データ配線の構造の工夫により有機薄膜トランジスタの特性を向上させる表示装置、及びその簡単な製造方法を提供する。【解決手段】本発明による表示装置は、ITOまたはIZOから成るソース電極とドレイン電極との対とは別に、金属から成る低抵抗のデータ配線が備えられている。本発明による表示装置の製造方法は、ゲート絶縁膜の上に透明電極物質層とデータ配線物質層とを順番に積層し、同じ感光膜を利用して透明電極物質層とデータ配線物質層とを続けてパターニングする。【選択図】図2
請求項(抜粋):
絶縁基板;
前記絶縁基板の上に形成され、ゲート電極を含むゲート配線;
前記ゲート電極を覆っているゲート絶縁膜;
前記ゲート電極の上方で所定の距離を隔てて配置され、チャネル領域を区切っているソース電極とドレイン電極との対、を含む、前記ゲート絶縁膜の上に形成された透明電極層;
前記透明電極層の一部を覆い、前記ゲート配線から絶縁された状態で前記ゲート配線と交差し、画素を区切っているデータ配線;及び、
前記チャネル領域に形成されている有機半導体層;
を有する表示装置。
IPC (6件):
G02F 1/136
, H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 51/05
, G02F 1/134
, G09F 9/30
FI (8件):
G02F1/1368
, H01L29/78 612D
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 619A
, H01L29/78 617U
, H01L29/28 100A
, G02F1/1343
, G09F9/30 338
Fターム (57件):
2H092GA34
, 2H092HA03
, 2H092HA04
, 2H092HA28
, 2H092JA26
, 2H092JB13
, 2H092JB33
, 2H092KA09
, 2H092KA18
, 2H092KB05
, 2H092KB14
, 2H092KB24
, 2H092MA05
, 2H092MA10
, 2H092MA13
, 5C094AA21
, 5C094AA43
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094DA13
, 5C094EA10
, 5C094FB12
, 5C094GB10
, 5F110AA03
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE14
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF27
, 5F110FF30
, 5F110GG05
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK21
, 5F110HK33
, 5F110NN13
, 5F110NN22
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110NN36
, 5F110QQ06
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
韓国特許出願公開第2000-045306号明細書
-
有機半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-221991
出願人:住友ベークライト株式会社
審査官引用 (1件)
-
有機半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-221991
出願人:住友ベークライト株式会社
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