気相成長方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-017551
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264155
出願日： 1989年03月01日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】サファイア基板上に場所依存性の少ない良質な窒化ガリウム系化合物半導体結晶を気相成長させることが可能な気相成長方法を提供する。【解決手段】サファイア基板50の直前で偏平形状を有するライナー管12を用いて反応ガスがサファイア基板50の結晶成長面の一端から他端へ均一に流れるように供給する。反応ガスをサファイア基板50の結晶成長面に均一に供給することができるので、サファイア基板50上に場所依存性の少ない良質な窒化ガリウム系化合物半導体結晶が成長する。

請求項（抜粋）：

少なくともガリウム源と窒素源とを有する反応ガスを基板の結晶成長面に供給して前記基板上に窒化ガリウム系化合物半導体結晶を気相成長させる気相成長方法において、前記基板の温度を窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長温度まで加熱する工程と、前記基板より反応ガス上流側に形成された偏平形状の空間を通じて前記反応ガスを前記基板上に流しながら前記基板に対して押圧しつつ供給する工程と、を有することを特徴とする気相成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C23C 16/455 , C30B 25/14 , C30B 29/38

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C23C 16/455 , C30B 25/14 , C30B 29/38 D

Fターム (37件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EG22 , 4G077EG25 , 4G077TG04 , 4G077TH10 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA38 , 4K030BB03 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030GA03 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD10 , 5F045AD13 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA11 , 5F045DA53 , 5F045DP04 , 5F045DP07 , 5F045DQ06 , 5F045EC01 , 5F045HA06

引用特許：

出願人引用 (8件)

気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-220507 出願人：豊田合成株式会社, 名古屋大学長, 科学技術振興事業団
特開昭61-186289
特開昭63-188934

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審査官引用 (1件)

気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-220507 出願人：豊田合成株式会社, 名古屋大学長, 科学技術振興事業団

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