特許
J-GLOBAL ID：200903014167887151
排気ガスの処理方法及び処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061156
公開番号（公開出願番号）：特開平9-248424
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造装置から排出されるPFCガスの大気中への直接排気を防止する。【解決手段】 半導体製造装置としてのドライエッチング装置から排出される未反応のPFCガスをプラズマ処理室の放電管7内に導入し、放電管7内に生成したプラズマにより未反応のPFCガスを化学的に活性化し、これを石英板12に接触させて化学反応させ、反応生成物を形成して未反応のPFCガスを反応生成物に取り込んで除去する。
請求項（抜粋）：
半導体製造工程において未反応ガスとして排気される、炭素とフッ素のみから構成されるフロンガスのPFCガスを処理する排気ガスの処理方法であって、未反応で排気されるPFCガスをプラズマにより再分解して化学的に活性化することを特徴とする排気ガスの処理方法。
IPC (6件)：
B01D 53/68
, B01J 19/08
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, C23C 16/50
B01D 53/34 134 C
, B01J 19/08 E
, C23F 4/00 Z
, H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/302 B
