特許
J-GLOBAL ID：200903014201443683
配線形成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-196198
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040526
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】配線を形成する材料の腐食を抑制し、かつ、高い研磨速度で化学機械研磨を行う配線形成方法を提供すること。【解決手段】表面に凹凸を有するウエハ14上に、銅等の導体膜を形成し、この凸部上の導体膜を化学機械研磨法で除去して凹部に導体膜を残すときに、第1の供給口15から研磨液を適下して研磨し、研磨終了段階に防食性物質を含む水溶液又はアルコール類等の非水性液体を第2の供給口16から適下して研磨液を置換するようにした配線形成方法。
請求項（抜粋）：
表面に凹凸を有する基体上に、銅、タングステン、アルミニウム、チタン又はこれらを含む合金からなる導体膜を形成し、上記基体の凸部上の上記導体膜を化学機械研磨法を用いて除去して上記導体膜を所望の形状とし、防食性物質を含む水溶液又は非水性液体を上記所望の形状の導体膜に接触させることを特徴とする配線形成方法。
引用特許：
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