特許
J-GLOBAL ID:200903014210141355
有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-125270
公開番号(公開出願番号):特開2007-299852
出願日: 2006年04月28日
公開日(公表日): 2007年11月15日
要約:
【課題】塗布プロセスで製造でき、トランジスタ特性が良好で、酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、有機半導体デバイスを提供する。【解決手段】下記一般式で表される化合物を含有する有機半導体材料。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
IPC (4件):
H01L 51/30
, H01L 29/786
, H01L 51/05
, H01L 51/40
FI (4件):
H01L29/28 250H
, H01L29/78 618B
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 310J
Fターム (44件):
4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB91
, 4H049VN01
, 4H049VN02
, 4H049VP02
, 4H049VQ02
, 4H049VQ08
, 4H049VR24
, 4H049VU24
, 5F110AA14
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE41
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF21
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110GG05
, 5F110GG41
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK32
, 5F110HK33
引用特許:
出願人引用 (3件)
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国際公開第03/016599号パンフレット
-
電界効果型有機トランジスタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-170277
出願人:キヤノン株式会社
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米国特許第6,690,029B1号公報
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