特許
J-GLOBAL ID:200903014210141355

有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-125270
公開番号(公開出願番号):特開2007-299852
出願日: 2006年04月28日
公開日(公表日): 2007年11月15日
要約:
【課題】塗布プロセスで製造でき、トランジスタ特性が良好で、酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、有機半導体デバイスを提供する。【解決手段】下記一般式で表される化合物を含有する有機半導体材料。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
IPC (4件):
H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40
FI (4件):
H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J
Fターム (44件):
4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB91 ,  4H049VN01 ,  4H049VN02 ,  4H049VP02 ,  4H049VQ02 ,  4H049VQ08 ,  4H049VR24 ,  4H049VU24 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG41 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 国際公開第03/016599号パンフレット
  • 電界効果型有機トランジスタ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-170277   出願人:キヤノン株式会社
  • 米国特許第6,690,029B1号公報

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