特許

J-GLOBAL ID：200903014252998914

半導体装置

発明者： 坂爪 順 ,  三浦 俊広
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  日立ハイブリッドネットワーク株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-175002
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353938
出願日： 2004年06月14日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】 半導体チップの高精度位置決めとワイヤ長さの一定化。【解決手段】 上面に四角形の窪みを有する配線基板と、配線基板の上面に形成され所定部がワイヤ接続用のボンディングパッドとなる複数の配線と、配線基板の上面の窪み内に固定され上面に電極を複数有する四角形の半導体チップと、電極とボンディングパッドを電気的に接続する導電性のワイヤとを有する半導体装置であって、窪みの内周面の4辺のうち隣り合う2辺は斜面となっている。窪み内に固定される半導体チップは窪み内に収容される際斜面を滑落して斜面に対面する辺に当接して位置決めされ、所定の前記電極とこの所定の電極と前記ワイヤを介して接続される所定の前記ボンディングパッドとの距離が所定の寸法誤差内になるように構成されている。前記半導体チップには増幅回路の最終増幅段を構成するトランジスタが形成され、出力用電極に接続されるワイヤ長さは所定誤差内の長さになり、高周波特性が安定化する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

上面に四角形の窪みを有する配線基板と、 前記配線基板の上面に形成され所定部がワイヤ接続用のボンディングパッドとなる複数の配線と、 前記配線基板の上面の前記窪み内に固定され上面に電極を複数有する四角形の半導体チップと、 前記電極と前記ボンディングパッドを電気的に接続する導電性のワイヤとを有する半導体装置であって、 前記窪みの内周面の4辺のうち少なくとも1辺は斜面となっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L23/12

FI (2件)：

H01L23/12 W ,  H01L23/12 301Z

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 混成集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-268354   出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社