特許
J-GLOBAL ID:200903064988238175

混成集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-268354
公開番号(公開出願番号):特開平9-116091
出願日: 1995年10月17日
公開日(公表日): 1997年05月02日
要約:
【要約】【課題】 実装面積の縮小化が図れる小型の高周波パワーモジュールの提供。【解決手段】 低温焼成多層配線基板と、前記多層配線基板の主面に搭載される少なくとも一つ以上の能動部品(FETチップ)および受動部品と、前記能動部品の電極と前記多層配線基板の配線(Ag-Pt)とを接続する導電性のワイヤと、前記多層配線基板の主面を覆うように多層配線基板に固定されるキャップと、前記多層配線基板の裏面に設けられた前記多層配線の複数の電極端子とを有する。多層配線基板は下部がストリップライン構造となり、上部がマイクロストリップライン構造となっている。グランド配線は編み目構造となっている。半導体チップは多層配線基板の主面に設けられた窪みに固定され、半導体チップの電極面と前記多層配線基板の配線面の高さは略同一高さとなっている。半導体チップの下にはサーマルビィアが設けられている。
請求項(抜粋):
多層配線基板と、前記多層配線基板の主面に搭載される少なくとも一つ以上の能動部品および受動部品と、前記能動部品の電極と前記多層配線基板の配線とを接続する導電性のワイヤと、前記多層配線基板の主面を覆うように多層配線基板に固定されるキャップと、前記多層配線基板の裏面に設けられた前記多層配線の複数の電極端子とを有することを特徴とする混成集積回路装置。
IPC (3件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/04
FI (2件):
H01L 25/04 C ,  H01L 25/04 Z
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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