特許

J-GLOBAL ID：200903014260839256

樹脂封止型半導体装置およびその製造方法ならびにその実装方法

発明者： 東 道也 ,  江頭 美佳 ,  野田 康昌
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-189741
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045649
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】本発明は、高密度実装を目的とした半導体パッケージ装置およびその製造方法ならびに実装方法において、薄型化が可能で、製造工程の簡略化を実現できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、半導体ウェハ21上に形成された集積回路の、ダイシングライン22を経て隣接する配線13の相互を導電性配線14によって接続する。そして、導電性配線14の形成された半導体ウェハ21の表面にシート状の封止用樹脂12を積層させ、硬化させることによって樹脂封止する。この後、ダイシングライン22に沿って半導体ウェハ21を切断することにより、半導体チップ11の一側面にのみ導電性配線14の露出された複数の半導体パッケージ装置を得る構成となっている。

請求項（抜粋）：

半導体チップの表面に封止用樹脂を積層してなる樹脂封止型半導体装置において、前記半導体チップと前記封止用樹脂との積層界面に露出する、外部接続用の配線を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/50

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板ダイシング法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-328553   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-211207   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-203259