特許
J-GLOBAL ID：200903014276847801
レーザーアニール処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有近 紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-258853
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102468
出願日： 1995年10月05日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 真空チャンバ(1)から被処理体(M)を取り出すことなく、また、被処理体(M)に膜厚や性質のばらつきがあっても、常に適切なアニールを行えるようにする。【解決手段】 レーザー光(R)を被処理体(M)に斜めに照射すると共に、被処理体(M)で反射された反射レーザー光(L)の強度を光強度測定手段(9)により測定し、その測定した反射レーザー光(L)の強度に基づいてアニールの進行状況を判別する。そして、制御手段(10)により、レーザ照射手段(6)および移動載置台(2)を制御する。【効果】 品質およびスループットを向上できる。
請求項（抜粋）：
密閉容器(1)内に置かれた被処理体(M)に外部からレーザー導入用窓(5)を通してレーザー光(R)を照射するレーザー照射手段(6)と、小面積のレーザー照射部分(P)で前記被処理体(M)の大面積の領域を走査するように前記被処理体(M)を乗せて移動する移動載置台(2)とを備えたレーザーアニール処理装置において、前記レーザー光(R)を被処理体(M)に斜めに照射すると共に、被処理体(M)で反射された反射レーザー光(L)の強度を光強度測定手段(9)により測定し、その測定した反射レーザー光(L)の強度に基づいてアニールの進行状況を判別することを特徴とするレーザーアニール処理装置(100)。
IPC (2件)：
H01L 21/268
, H01L 21/324
H01L 21/268 Z
, H01L 21/324 D
