特許
J-GLOBAL ID:200903014287534449

ウェーハ中間層の研磨方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋元 輝雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-261044
公開番号(公開出願番号):特開平8-102455
出願日: 1994年09月30日
公開日(公表日): 1996年04月16日
要約:
【要約】【目的】 枚葉式処理が可能で作業性に優れ、且つウェーハ表面の絶縁膜を高精度に研磨出来るようにした、ウェーハ中間層の研磨方法を提供する。【構成】 電気泳動法により形成した砥石片を複数配設した研磨ホイールと、この研磨ホイールを回転支持するスピンドルユニットと、このスピンドルユニットに対向して配設されウェーハを吸引保持して回転するチャックテーブルとから構成された研磨装置を用い、表面に絶縁膜が形成されたウェーハをチャックテーブルに吸引保持しこのチャックテーブルを回転させると共に、前記スピンドルユニットにより回転させた研磨ホイールをウェーハの表面に作用させ、絶縁膜の表面を研磨して平坦化する。
請求項(抜粋):
砥粒を電気泳動によって固定した砥石片を複数配設した研磨ホイールと、この研磨ホイールを回転支持するスピンドルユニットと、このスピンドルユニットに対向して配設され半導体ウェーハを吸引保持して回転するチャックテーブルと、から構成される研磨装置を用意する工程と、水蒸気拡散、CVD等の熱的、化学的処理によって表面に集積回路を形成していく途中の半導体ウェーハを用意する工程と、前記研磨装置のチャックテーブルに回路が形成される面を上にして前記半導体ウェーハを載置し吸引保持する工程と、前記スピンドルユニットに装着されている前記研磨ホイールの砥石片を前記半導体ウェーハの表面に作用させ、その表面に形成された堆積物の凸部を研磨し、平坦化する工程と、を少なくとも含むウェーハ中間層の研磨方法。
IPC (3件):
H01L 21/304 321 ,  B24B 1/00 ,  H01L 21/68
引用特許:
審査官引用 (2件)

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