特許
J-GLOBAL ID：200903014295551972
エレクトロクロミック要素、光学濃度変化要素、光学素子および撮影ユニット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-148744
公開番号（公開出願番号）：特開2005-292758
出願日： 2004年05月19日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】様々な波長の光に対する応答速度の速いエレクトロクロミック要素を提供する。【解決手段】半導体材料とエレクトロクロミック材料とを有するエレクトロクロミック要素であって、半導体材料が粗さ係数20以上のナノ多孔質半導体材料であり、かつ、該半導体材料の表面に下記式(1)、(2)または(3)で表されるエレクトロクロミック材料の少なくとも1種を有するエレクトロクロミック要素。 【化1】 式中、V1〜V24は各々水素原子又は一価の置換基;R1〜R6は各々水素原子、アルキル基、アリール基、又は複素環基; L1〜L6は各々メチン基又は窒素原子;n1〜n3は各々0、1、2又は3;M1〜M3は電荷均衡対イオン;m1〜m1は分子の電荷を中和するのに必要な0以上の数を表す。 但し、n1〜n3が0のとき、R1〜R6は各々アリール基を表し、式(1)〜(3)の化合物は各々スルホ基、ホスホノ基又はホスファト基を少なくとも1つ有する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体材料とエレクトロクロミック材料とを有するエレクトロクロミック要素であって、半導体材料が粗さ係数20以上のナノ多孔質半導体材料であり、かつ、該半導体材料の表面に下記一般式(1)、(2)または(3)で表されるエレクトロクロミック材料の少なくとも1種を有することを特徴とするエレクトロクロミック要素。
IPC (4件)：
G02F1/15
, C09K9/02
, G02C7/10
, G03C3/00
G02F1/15 504
, G02F1/15 502
, C09K9/02 A
, G02C7/10
, G03C3/00 575Z
2H006BE01
, 2H006BE05
, 2K001AA06
, 2K001AA11
, 2K001BB20
, 2K001BB28
, 2K001CA24
, 2K001EA11
