昇華育種による炭化シリコン単結晶の製造方法及び装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-518014
公開番号（公開出願番号）：特表平10-509689
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】反応室(2)は気密な壁(20)により囲まれ、少なくとも反応室(2)に面する壁(20)の内側(21)はCVDプロセスにより製造された炭化シリコンから成る。壁(20)の炭化シリコンの少なくとも一部は昇華され、種結晶(3)上に炭化シリコンの単結晶(4)として成長させられる。

請求項（抜粋）：

a)壁(20)により気密に囲まれている少なくとも1つの反応室(2)を備え、その際壁(20)の少なくとも反応室に面する内側(21)は化学蒸着(CVD)法により製造された炭化シリコンから成っており、b)壁(20)の炭化シリコンの少なくとも一部を昇華し、種結晶(3)上に炭化シリコンの単結晶として成長させる炭化シリコン単結晶の製造方法。

引用特許：

出願人引用 (3件)

特公昭32-000385
特開昭62-297291
炭化ケイ素単結晶の成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-037208 出願人：日新製鋼株式会社

審査官引用 (3件)

特公昭32-000385
特開昭62-297291
炭化ケイ素単結晶の成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-037208 出願人：日新製鋼株式会社

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