接続孔の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-002474
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191062
出願日： 1995年01月11日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】アスペクト比が大きく開口径が微細であっても、上層配線膜の良好なカバレージや埋込み特性を保証できる接続孔を形成する。【構成】 SiOx 層間絶縁膜2のエッチングを、異方性/等方性エッチングの組み合わせで行い、開口底よりも開口端の開口寸法が広いコンタクト・ホール2h1 を形成する。具体的には、(a)異方性形状を有するフォトレジスト・パターンをマスクとする異方性エッチングによりコンタクト・ホール2h1 を途中まで形成した後、マスク選択比を下げた等方性エッチングにより開口端の開口寸法を拡げるか、あるいは(b)逆テーパ状またはオーバーハング状のエッチング・マスクを介した等方性エッチングにより開口寸法の大きい開口端を形成した後、異方性エッチングにより開口底の開口寸法を規定しながらコンタクト・ホールを完成させる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された下層配線を被覆する絶縁膜の上にエッチング・マスクを形成し、プラズマ・エッチング装置を用いたドライエッチングにより該絶縁膜に接続孔を開口する接続孔の形成方法において、前記絶縁膜上に異方的な開口を有するエッチング・マスクを形成する第1の工程と、異方的なエッチング条件下で前記絶縁膜をその膜厚の一部を残すごとくエッチングして接続孔を途中まで形成する第2の工程と、前記エッチング・マスクに対するエッチング選択比を前記第2の工程におけるよりも低下させた等方的なエッチング条件下で前記絶縁膜の残余部をエッチングすると共に前記接続孔の開口端の開口寸法を拡大する第3の工程とを有する接続孔の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/302 M , H01L 21/90 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-325750 出願人：ソニー株式会社
特開平4-176121
特開平4-006829

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