特許
J-GLOBAL ID：200903014320201337
プラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-045177
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242128
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】プラズマを利用した装置において、RF電力を一定にした場合、プラズマ処理中のプラズマ状態の変化によりVpp電圧が大きく変化する。また、Vpp電圧一定で制御すると、RF電力の過不足供給となってしまい、処理の再現性が悪くなる。【解決手段】エッチング処理の進行状況に応じて、高周波電力をRF一定制御からVpp一定制御に切り替え、また、エッチング処理の終点判定に際しVpp一定制御からRF一定制御に切り替えて試料をプラズマ処理する。
請求項（抜粋）：
処理室内にプラズマを発生させるとともに、試料台に高周波電力を印加して試料をエッチング処理すプラズマ処理方法において、前記エッチング処理の進行状況に応じて、前記高周波電力をRF一定制御からVpp一定制御に切り替え、また、エッチング処理の終点判定に際しVpp一定制御からRF一定制御に切り替えて試料をエッチング処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/205
H01L 21/302 A
, C23F 4/00 F
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
