特許
J-GLOBAL ID：200903014324353492

膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

発明者：
杉浦 誠

杉浦 誠 について

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川井 淳司

川井 淳司 について

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西川 通則

西川 通則 について

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山田 欣司

山田 欣司 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-134981
公開番号（公開出願番号）：特開2001-316624
出願日： 2000年05月08日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の機械的特性やクラック耐性やSiNとの密着性に優れ、かつ低い比誘電率を示す膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料を得る。【解決手段】 (A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・(2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を加水分解、縮合した重合体(B)pKaが2.0〜4.2の有機酸ならびに(C)有機溶剤を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・(2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を加水分解、縮合した重合体(B)pKaが2.0〜4.2の有機酸ならびに(C)有機溶剤を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (6件)：
C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (7件)：
C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 Q ,  H01L 21/90 S
Fターム (35件)：
4J038DL041 ,  4J038GA01 ,  4J038GA07 ,  4J038GA12 ,  4J038JA26 ,  4J038JA27 ,  4J038JA41 ,  4J038JA42 ,  4J038JA45 ,  4J038JB11 ,  4J038JC33 ,  4J038KA03 ,  4J038KA06 ,  4J038KA09 ,  4J038MA07 ,  4J038MA10 ,  4J038NA11 ,  4J038NA12 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC01 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033XX12 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24 ,  5F058AA02 ,  5F058AA08 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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