半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西藤征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294583
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153831
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】熱サイクルテスト特性および耐リフロークラック特性に優れ、しかも反りの発生が低減された信頼性に優れた半導体装置を提供する。【構成】半導体素子が搭載されたリード基板と、この半導体素子搭載リード基板を樹脂封止した樹脂硬化体層とを備えた半導体装置において、上記リード基板の樹脂封止後の収縮量(X)と、上記樹脂硬化体層の収縮量(Y)の比(Y/X)を、0.8〜1.6の範囲に設定する。

請求項（抜粋）：

半導体素子が搭載されたリード基板と、この半導体素子搭載リード基板を樹脂封止した樹脂硬化体層とを備えた半導体装置であって、上記リード基板の樹脂封止後の収縮量(X)と、上記樹脂硬化体層の収縮量(Y)の比(Y/X)が、0.8〜1.6の範囲に設定されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 23/12 , H01L 23/14 , H05K 1/03 610 , H05K 1/05

FI (3件)：

H01L 23/30 R , H01L 23/12 Z , H01L 23/14 R

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平3-076751
特開平2-189997
配線基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-246706 出願人：三井東圧化学株式会社

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審査官引用 (10件)

特開平3-076751
特開平3-076751
特開平2-189997

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