電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067852
公開番号（公開出願番号）：特開平9-121057
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【目的】衝突電離により生成された正孔がソース側へ円滑に拡散しうるようにする。リーク電流の低減。【構成】シリコン基板101上に埋め込み酸化膜102を介して形成されたSOI層103上にゲート酸化膜104、ゲート電極105が形成されている。ゲート電極下のSOI層103はp- 型のチャネル領域108となされており、ゲート電極105を挟むSOI層表面にはn+ 型の浅いソース・ドレインエクステンション領域106が形成されている。エクステンション領域106の外側には、SiGe等からなる狭バンドギャップソース・ドレイン領域115が形成されており、その内側のエクステンション領域106下には、第1導電型(n型)低濃度狭バンドギャップ領域113と第2導電型低濃度狭バンドギャップ領域114とが形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁基板または絶縁層上に形成された半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、前記半導体層に高不純物濃度の第一導電型拡散層が前記ゲート電極に対向する第二導電型領域を挟んで設けられている電界効果型トランジスタにおいて、前記第一導電型拡散層と前記第二導電型領域との間に存在するpn接合の少なくとも一部を含む領域あるいはこのpn接合に隣接する領域の少なくとも一部が前記第二導電型領域よりバンドギャップの狭い材料により形成された狭バンドギャップ領域により構成され、かつ、前記pn接合のチャネル形成領域に接する部分をおよびこれに隣接する部分が前記第二導電型領域と同一の材料により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-313242
特開昭55-065472
特開昭62-271472

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