特許
J-GLOBAL ID：200903018596225740

半導体装置及びその製造方法

発明者：
井上 俊輔

井上 俊輔 について

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星 淳一

星 淳一 について

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渡邉 高典

渡邉 高典 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-032442
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232404
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 異なる厚さを有する活性層の不純物濃度を一定に制御して、特性のばらつきを極めて小さくできる半導体装置を得る。【構成】 絶縁膜402上の単結晶半導体層403に形成された集積回路において、該集積回路を構成する複数の能動素子の活性層膜厚407,408の最大値をTSOI(max)、最小値をTSOI(min)とした場合、該活性層407,408の不純物濃度の最大値と最小値の比がTSOI(max)/TSOI(min)以下であることを特徴とし、またその製造方法としては、まず、絶縁膜402上の単結晶半導体層403中に不純物イオンを導入する工程(図1(b),(c))と、該イオンを単結晶半導体層403中の深さ方向へ均一に拡散する工程(d)と、単結晶半導体層407,408の表面の一部を除去する工程(e)と、該除去工程により厚さが薄くなった層を複数の能動素子の活性層とする工程(f),(g)とを有する。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上の単結晶半導体層に形成された複数の能動素子を有する半導体装置において、該複数の能動素子の活性層膜厚の最大値をTSOI(max)、最小値をTSOI(min)とした場合、該活性層の不純物濃度の最大値と最小値の比がTSOI(max)/TSOI(min)以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 29/78 311 H ,  H01L 21/265 A ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/78 311 Y
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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