特許

J-GLOBAL ID：200903014342904463

モノリシックマイクロ波集積回路

発明者： 高須 英樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-263542
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103819
出願日： 2002年09月10日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】段差のある電極間に形成したエアブリッジによる配線に、断線が起こりにくいモノリシックマイクロ波集積回路を得る。【解決手段】半絶縁性基板2上に突起状に形成されたPINダイオード3のアノード電極6aとストリップ伝送線路の信号用電極8aとの間を、エアブリッジによる配線7を形成して接続する際に、ストリップ伝送線路の信号用電極8aを半絶縁性基板2上に積層した絶縁膜9上に形成することにより電極間の段差を減らし、エアブリッジによる配線7の立ち上がり角度を小さくすると共に接続距離を短くし、エアブリッジによる配線7の断線の発生を抑える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板と、 この半絶縁性基板上に突出して形成された半導体素子と、 この半導体素子の上端に設けられた第1の電極と、 前記半絶縁性基板上に形成された絶縁膜と、 この絶縁膜上に形成された第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極とを接続するエアブリッジによる配線と を具備したことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路。

IPC (3件)：

H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04

FI (2件)：

H01L27/04 A ,  H01L21/90 N

Fターム (11件)：

5F033GG02 ,  5F033MM30 ,  5F033PP19 ,  5F033RR06 ,  5F033RR30 ,  5F038AV04 ,  5F038AZ01 ,  5F038CA02 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高周波スイッチとバイアス回路と移相器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-015635   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-031433
  
• 薄膜コンデンサおよび薄膜コンデンサを含む半導体集積回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-284467   出願人：島田理化工業株式会社
• 集積回路,及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-246299   出願人：三菱電機株式会社